-
1 lettering
-
2 turn-on time
- время включения тиристора
- время включения стабилитрона
- время включения полевого транзистора
- время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время включения биполярного транзистора
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время включения
tвкл
ton
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10% значения входного сигнала и 90% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения стабилитрона
tвкл
tоп
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
время включения тиристора
Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tувкл, tвкл
tgt, tt
Примечания
1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.
2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.
3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- temps d’amorçage
86. Время включения стабилитрона
D. Einschaltzeit der Z-Diode
E. Turn-on time
tвкл
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
110. Время включения тиристора
E. Turn-on time
F. Temps d’amorcage
tувкл, tвкл
Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.
Примечания:
1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.
2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.
3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время включения
Turn-on time
tвкл
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10 % значения входного сигнала и 90 % значения выходного сигнала
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
40. Время включения биполярного транзистора
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total d'établissement
tвкл
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-on time
-
3 rise time
- длительность переднего фронта импульса
- время подъёма мощности
- время подъёма
- время нарастания тиристора
- время нарастания сигнала интегральной микросхемы
- Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
- время нарастания для полевого транзистора
- время нарастания для биполярного транзистора
- время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время нарастания (вторичного напряжения)
- время нарастания
- время восстановления (в электротехнике)
время восстановления
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время нарастания
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]
время нарастания
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электросвязь, основные понятия
- электротехника, основные понятия
EN
время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]Тематики
- системы зажигания автомоб. двигат.
EN
FR
время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время нарастания
tнр
tr
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время подъёма
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время подъёма мощности
(напр. ядерного реактора)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
EN
длительность переднего фронта импульса
время нарастания импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений.
Примечание - Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого предельных значений принимают 0,1 и 0,9 пикового значения импульса.
Источник: ГОСТ Р 51317.4.2-2010: Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний оригинал документа
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
Время нарастания импульса
Rise time
tнр.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время нарастания
Rise time
tнр
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > rise time
-
4 delay time
- продолжительность выдержки
- время задержки тиристора
- время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время задержки модуля (блока) СВЧ
- время задержки импульса интегральной микросхемы
- время задержки для биполярного транзистора
- время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
- время задержки
время задержки
—
[Интент]Параллельные тексты EN-RU
The relay remains energized for the duration of the timer.
[Schneider Electric]Реле остается включенным до истечения времени задержки.
[Перевод Интент]
Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
время задержки
tз
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Синонимы
EN
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время задержки импульса интегральной микросхемы
время задержки
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время задержки модуля (блока) СВЧ
время задержки
tз
Интервал времени с момента подачи сигнала на вход модуля (блока) СВЧ до момента появления сигнала на его выходе, определяемый на одинаковых относительных уровнях сигналов.
[ ГОСТ 23221-78]Тематики
Обобщающие термины
- модули СВЧ, блоки СВЧ
- параметры
Синонимы
EN
время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время задержки
tзд
td
Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,зд, tзд
tgd, td
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
3.11 продолжительность выдержки (delay time): Время определения аналитическим контрольно-измерительным прибором появления химического вещества на внутренней стороне образца для испытания.
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tу,зд, tзд
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время задержки
Delay time
tзд
Интервал времени между 10 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
209. Время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
Время задержки
Delay time
tз
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > delay time
-
5 turn-off time
- время отключения
- время выключения тиристора
- время выключения полевого транзистора
- время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время выключения биполярного транзистора
время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время выключения
tвыкл
toff
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время выключения полевого транзистора
время выключения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время выключения тиристора
Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора.
Обозначение
tвыкл
tq
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время отключения
—
[Интент]
время отключения
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
113. Время выключения тиристора
E. Turn-off time
F. Temps de désamorcage
tвыкл
Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
51. Время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время выключения
Turn-off time
tвыкл
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-off time
-
6 fall time
- время среза (заднего фронта) импульса
- время спада сигнала интегральной микросхемы
- время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
- время спада для полевого транзистора
- время спада для биполярного транзистора
- время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время спада
время спада
время затухания
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время спада
tсп
tf
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
время спада импульса
tсп.из
tf
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время среза (заднего фронта) импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
Время спада импульса
Fall time
tсп.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время спада
Fall time
tсп
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > fall time
-
7 reverse recovery time
- время переключения
- время обратного восстановления тиристора
- время обратного восстановления диода
- время восстановления запорного слоя (в полупроводниках)
время восстановления запорного слоя (в полупроводниках)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время обратного восстановления диода
Ндп. время восстановления обратного сопротивления
tвос, обр, trr
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
время обратного восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Обозначение
tвос, обр
trr
Примечания
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время переключения
Промежуток времени с момента возникновения аварийного режима в распределительной сети до момента подключения к резервному источнику питания системы безопасности.
[ ГОСТ Р 50571. 1-2009 ( МЭК 60364-1: 2005)]
время переключения
tco
Промежуток времени с момента возникновения аварийного режима в стационарной сети до момента подключения к аварийному источнику электроснабжения системы обеспечения безопасности.
[ ГОСТ Р ИСО 8528-12-2005]Тематики
EN
33. Время обратного восстановления диода
Ндп. Время восстановления обратного сопротивления
D. Sperrerholungszeit der Diode
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
114. Время обратного восстановления тиристора
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Примечания:
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > reverse recovery time
-
8 turn-on delay time
- время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
- время задержки включения полевого транзистора
- время задержки включения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения
t0,1зд
tDLN
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении
tзд.из
td
Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
Время задержки при включении
Turn-on delay time
tзд.из
Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
83. Время задержки включения оптоэлектронного переключателя
Время задержки включения
Turn-on delay time
t1и0зд
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-on delay time
-
9 forward recovery time
- время установления прямого напряжения
- время прямого восстановления тиристора
- время прямого восстановления диода
время прямого восстановления диода
Ндп. время восстановления прямого сопротивления
tвос.пр, tfr
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
время прямого восстановления тиристора
Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.
Обозначение
tвос, пр
tdr
Примечание
Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время установления прямого напряжения
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
34. Время прямого восстановления диода
Ндп. Время восстановления прямого сопротивления
D. Durchlasserholungszeit der Diode
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос.пр
Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
117. Время прямого восстановления тиристора
E. Forward recovery time
F. Temps de recouvrement direct
tвос,пр
Время, необходимое для достижения током или напряжением заданного значения после мгновенного переключения с заданного тока в обратном проводящем состоянии тиристора на заданное прямое напряжение.
Примечание. Начало времени прямого восстановления - момент прохождения тока через нулевое значение
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > forward recovery time
-
10 power gain
- усиление по мощности
- коэффициент усиления прибора СВЧ
- коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
- коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
- коэффициент усиления по мощности
- коэффициент усиления мощности генераторной лампы
- выигрыш мощности
коэффициент усиления мощности генераторной лампы
усиление мощности
Отношение выходной мощности к мощности возбуждения генераторной лампы.
Примечание
Величина расчетная (непосредственно не измеряемая).
Коэффициент усиления мощности генераторной лампы выражается в безразмерных единицах или в децибелах.
[ ГОСТ 20412-75]Тематики
Синонимы
EN
FR
коэффициент усиления по мощности
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
Kур
Gp
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
коэффициент усиления прибора СВЧ
коэффициент усиления
Ку
Отношение выходной мощности прибора СВЧ к входной.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Синонимы
EN
усиление по мощности
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
58. Коэффициент усиления мощности генераторной лампы*
Усиление мощности
E. Power gain
F. Gain de puissance
Отношение выходной мощности к мощности возбуждения генераторной лампы.
Примечание. Коэффициент усиления мощности генераторной лампы выражается в безразмерных единицах или в децибелах
Источник: ГОСТ 20412-75: Лампы генераторные, модуляторные и регулирующие. Термины и определения оригинал документа
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
200. Коэффициент усиления прибора СВЧ
Коэффициент усиления
Power gain
Ky
Отношение выходной мощности прибора СВЧ к входной
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > power gain
-
11 output power
- генерируемая мощность
- выходная мощность пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра
- выходная мощность прибора СВЧ
- выходная мощность генераторной лампы
- выходная мощность биполярного транзистора
- выходная мощность
- выработка электроэнергии
выработка электроэнергии
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
выходная мощность
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]Тематики
- электросвязь, основные понятия
- электротехника, основные понятия
EN
выходная мощность биполярного транзистора
Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте.
Обозначение
Pвых
Pout
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
выходная мощность генераторной лампы
выходная мощность
Ндп. мощность, отдаваемая генераторной лампой
Мощность, отдаваемая генераторной лампой во внешнюю высокочастотную цепь.
Примечание
Величина расчетная (непрсредственно не измеряемая).
[ ГОСТ 20412-75]Недопустимые, нерекомендуемые
- мощность, отдаваемая генераторной лампой
Тематики
Синонимы
EN
FR
выходная мощность прибора СВЧ
выходная мощность
Рвых
СВЧ мощность, отдаваемая прибором СВЧ в нагрузку с заданными параметрами.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Синонимы
EN
выходная мощность пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра (Pвых, Pout)
Значение мощности, измеренное на выходном нагрузочном полном сопротивлении пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра.
[ ГОСТ 18670-84]Тематики
EN
FR
генерируемая мощность
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
55. Выходная мощность генераторной лампы*
Выходная мощность
Ндп. Мощность, отдаваемая генераторной лампой
E. Output power
F. Puissance de sortie
Мощность, отдаваемая генераторной лампой во внешнюю высокочастотную цепь
Источник: ГОСТ 20412-75: Лампы генераторные, модуляторные и регулирующие. Термины и определения оригинал документа
194. Выходная мощность прибора СВЧ
Выходная мощность
Output power
Pвых
СВЧ мощность, отдаваемая прибором СВЧ в нагрузку с заданными параметрами
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
60. Выходная мощность биполярного транзистора
D. Ausgangsleistung
E. Output power
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > output power
-
12 output capacitance
- выходная емкость полевого транзистора
- выходная емкость оптоэлектронного переключателя
- выходная емкость биполярного транзистора
- выходная ёмкость
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
выходная емкость оптоэлектронного переключателя
выходная емкость
Свых
CO
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C22и
C22ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
выходная ёмкость
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
71. Выходная емкость оптоэлектронного переключателя
Выходная емкость
Output capacitance
Свых
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > output capacitance
-
13 cut-off frequency
- частота среза пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра
- частота среза
- предельная частота ФЭПП
- предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
- предельная частота варикапа
- граничная частота
граничная частота
частота среза
-
[IEV number 151-13-54]EN
cut-off frequency
lower or upper limiting frequency of a pass-band or stop-band
[IEV number 151-13-54]FR
fréquence de coupure, f
fréquence limite inférieure ou supérieure d'une bande passante ou d'une bande affaiblie
[IEV number 151-13-54]Синонимы
EN
DE
FR
предельная частота ФЭПП
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении.
Обозначение
f0
fg
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
предельная частота варикапа
fпред.в
fсо
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.
Обозначение
fh21
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
частота среза
граничная частота
1. Частота, при которой амплитуда сигнала составляет определенную часть от максимальной (например, на 3 дБ меньше).
2. Частота, при которой амплитуда передаваемых колебаний на 3 дБ меньше, чем на частоте максимума.
[BS EN 1330-4:2000. Non-destructive testing - Terminology - Part 4: Terms used in ultrasonic testing]
[Система неразрушающего контроля. Виды (методы) и технология неразрушающего контроля. Термины и определения (справочное пособие). Москва 2003 г.]Тематики
- виды (методы) и технология неразр. контроля
Синонимы
EN
частота среза пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра (fc)
Частота полосы пропускания или задерживания, на которой относительное затухание пьезоэлектрического (электромеханического) фильтра достигает заданного значения.
[ ГОСТ 18670-84]Тематики
EN
FR
78. Предельная частота варикапа
D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
fпред.в
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
D. Grenzfrequenz der Stromverstärkung
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de conpure
fh21
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
D. Grenzfrequenz
E. Cut-off frequency
F. Fréquence de coupure
f0
Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > cut-off frequency
-
14 dynamic resistance
- резонансное сопротивление (параллельного колебательного контура)
- динамическое сопротивление прибора М-типа
- динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление
Rдин
RD
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
динамическое сопротивление прибора М-типа
динамическое сопротивление
RД
Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольт-амперной характеристики в заданной рабочей точке.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
резонансное сопротивление (параллельного колебательного контура)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rдин
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
233. Динамическое сопротивление прибора М-типа
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rд
Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольтамперной характеристики в заданной рабочей точке
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > dynamic resistance
-
15 turn-off current
запираемый ток тиристора
Наибольшее значение основного тока тиристора, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду.
Обозначение
Iз
ITQ
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
ток выключения тиристорной оптопары
ток выключения
Iвыкл
Ioff
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
E. Turn-off current
F. Courant de désamorcage
Iз
Наибольшее значение основного тока тиристора, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
57. Ток выключения тиристорной оптопары
Ток выключения
Turn-off current
Iвыкл
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-off current
-
16 recovered charge
- заряд обратного восстановления тиристора
- заряд восстановления диода
- заряд восстановления (диода или тиристора)
заряд восстановления (диода или тиристора)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
заряд восстановления диода
Ндп. заряд переключения
Qвос, Qr
Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
Примечания
1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
заряд обратного восстановления тиристора
Полный заряд, вытекающий из тиристора при переключении его с заданного тока в открытом состоянии на заданное обратное напряжение.
Обозначение
Qвос,обр
Qrr
Примечания
1. Заряд обратного восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада.
2. Данный заряд включает компоненты, обусловленные как накоплением заряда, так и емкостью обедненного слоя.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
32. Заряд восстановления диода
Ндп. Заряд переключения
D. Sperrerholladung der Diode
E. Recovered charge
F. Charge recouvrée
Qвос
Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
Примечания:
1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
121. Заряд обратного восстановления тиристора
E. Recovered charge
F. Charge de recouvrement inverse
Qвос,обр
Полный заряд, вытекающий из тиристора при переключении его с заданного тока в открытом состоянии на заданное обратное напряжение.
Примечания:
1. Заряд обратного восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада.
2. Данный заряд включает компоненты, обусловленные как накоплением заряда, так и емкостью обеденного слоя
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > recovered charge
-
17 peak power dissipation
импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
-
Обозначение
PИ
PM
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
импульсная рассеиваемая мощность диода
Pи, РМ
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
15. Импульсная рассеиваемая мощность диода
D. Spitzenverlustleistung der Diode
E. Peak power dissipation
Pи
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
D. Impulsverlustleistung
E. Peak power dissipation
F. Puissance dissipée de crète
Ри
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak power dissipation
-
18 peak reverse voltage
- максимальное обратное напряжение
- Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя
- импульсное обратное напряжение диода
- импульсное обратное напряжение (на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
импульсное обратное напряжение (на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
Uобр.и (URM)
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
импульсное обратное напряжение диода
Uобр.и, URM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
максимальное обратное напряжение
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
4. Импульсное обратное напряжение диода
D. Spitzensperrspannung der Diode
E. Peak reverse voltage
F. Tension inverse de crête
Uобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
20. Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя
Импульсное обратное напряжение
Peak reverse voltage
Uобр.и
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на полупроводниковом излучателе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak reverse voltage
-
19 peak forward current
- импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
- импульсный прямой ток диода
- импульсный прямой ток (элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
импульсный прямой ток (элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
Iпр.и (IFм)
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через элемент отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
импульсный прямой ток диода
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
импульсный прямой ток
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
EN
8. Импульсный прямой ток диода
D. Spitzendurchlassstrom der Diode
E. Peak forward current
F. Courant direct de crête
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
Импульсный прямой ток
Peak forward current
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak forward current
-
20 noise factor
коэффициент шума прибора СВЧ
коэффициент шума
Кш
Отношение сигнал/шум на входе прибора СВЧ к отношению сигнал/шум на его выходе.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
коэффициент шумов
шум-фактор
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
шумовая постоянная туннельного диода
NШ
Nn
Величина, определяемая соотношением:
NШ = 20lg Iр/gпер,
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер- отрицательная проводимость туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
FR
74. Шумовая постоянная туннельного диода
D. Rauschfaktor der Tunneldiode
E. Noise factor
F. Facteur de bruit
Nш
Величина, определяемая соотношением:
где Iр - ток в рабочей точке туннельного диода,
gпер - отрицательная проводимость туннельного диода
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
223. Коэффициент шума прибора СВЧ
Коэффициент шума
Noise factor
Kш
Отношение сигнал/шум на входе прибора СВЧ к отношению сигнал/шум на его выходе
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > noise factor
См. также в других словарях:
буквенные обозначения — — [А.С.Гольдберг. Англо русский энергетический словарь. 2006 г.] Тематики энергетика в целом EN lettering … Справочник технического переводчика
ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Время включения Turn on time tвкл… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 24453-80: Измерения параметров и характеристик лазерного излучения. Термины, определения и буквенные обозначения величин — Терминология ГОСТ 24453 80: Измерения параметров и характеристик лазерного излучения. Термины, определения и буквенные обозначения величин оригинал документа: 121. Абсолютная спектральная характеристика чувствительности средства измерений… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 25066-91: Индикаторы знакосинтезирующие. Термины, определения и буквенные обозначения — Терминология ГОСТ 25066 91: Индикаторы знакосинтезирующие. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа: 35 (зна косинтезирующий) индикатор со встроенным управлением: Знакосинтезирующий индикатор, конструктивно выполненный с… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 22499-77: Аппараты винтокрылые. Механика полета в атмосфере. Термины, определения и буквенные обозначения — Терминология ГОСТ 22499 77: Аппараты винтокрылые. Механика полета в атмосфере. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа: Jв относительно вертикального шарнира. Определения термина из разных документов: Jв Jг относительно… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 1062-80: Размерения надводных кораблей и судов главные. Термины, определения и буквенные обозначения — Терминология ГОСТ 1062 80: Размерения надводных кораблей и судов главные. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа: 17. Бортовая линия верхней палубы судна Определения термина из разных документов: Бортовая линия верхней… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 14181-78: Доки плавучие. Термины, определения и буквенные обозначения главных и характерных размерений — Терминология ГОСТ 14181 78: Доки плавучие. Термины, определения и буквенные обозначения главных и характерных размерений оригинал документа: 1. Балласт дока Груз, принимаемый в отсеки дока с целью изменения его посадки Определения термина из… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 25529 82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона D. Zeitliche Instabilitat der Z Spannung der Z… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 23073-78: Трубы тепловые. Термины, определения и буквенные обозначения — Терминология ГОСТ 23073 78: Трубы тепловые. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа: 16. Артерия тепловой трубы D. Arterien E. Artery Элемент капиллярной структуры в виде канала, предназначенный для перемещения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения — Терминология ГОСТ 23769 79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа: 39. π вид колебаний Ндп. Противофазный вид колебаний Вид колебаний, при котором высокочастотные напряжения … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 22833-77: Характеристики самолета геометрические. Термины, определения и буквенные обозначения — Терминология ГОСТ 22833 77: Характеристики самолета геометрические. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа: 3. Базовая ось самолета ORXR Прямая, расположенная в базовой плоскости самолета, проходящая через базовую точку… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации